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参数资料
| 型号： | APTGF50DDA60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, MODULE-25 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 292K |
| 代理商： | APTGF50DDA60T3G |
CGY1041
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 10 February 2011
5 of 8
NXP Semiconductors
CGY1041
1 GHz, 21 dB gain GaAs push-pull amplifier
7.
Abbreviations
8.
Revision history
Table 6.
Abbreviations
Acronym
Description
CATV
Community Antenna TeleVision
ESD
ElectroStatic Discharge
GaAs
Gallium Arsenide
NTSC
National Television Standard Committee
PAL
Phase Alternating Line
RF
Radio Frequency
UNC
UNified Coarse
Table 7.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
CGY1041 v.1
20110210
Product data sheet
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50DSK120T3G | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50TA120P | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF50DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 |
| APTGF50DH120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH60T1G | 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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