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参数资料
| 型号： | APTGF50DH120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | APTGF50DH120T3G |
APT6025BLL_SLL
050-7065
Rev
B
9-2004
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
90%
t
d(off)
Gate Voltage
Drain Voltage
Drain Current
90%
tf
10%
Switching Energy
T
J
= 125 C
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
10 %
t
d(on)
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
90%
10 %
t
r
5 %
Switching Energy
TJ = 125 C
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
TO-247 Package Outline
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018) {3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Drain)
and Leads
are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
Drain (Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Drain
Source
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/18/95
D
3PAKPackageOutline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
ID
D.U.T.
VDS
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
APT15DF60
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50DH120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH60T1G | 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DSK120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 |
| APTGF50DSK60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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