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参数资料
型号： APTGF50DU120T
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-12
文件页数： 1/6页
文件大小： 0K
代理商： APTGF50DU120T
APTGF50DU120T
A
PT
G
F50D
U
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 6
Application
AC Switches
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Features
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
C2
Q2
NTC1
Q1
E
C1
E1
G1
NTC2
E2
G2
C1
C2
NTC2
NTC1
E1
E
G2
E2
G2
E2
G1
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
75
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
312
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
150A @ 1200V
VCES = 1200V
IC = 50A @ Tc = 80°C
Dual common source
NPT IGBT Power Module
相关PDF资料
PDF描述
APTGF50DU120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H120TG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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相关代理商/技术参数
参数描述
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