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参数资料
| 型号： | APTGF50H60T3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-25 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | APTGF50H60T3 |
APTGF50H60T3
A
P
T
G
F
50
H
60T
3–
R
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0
S
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2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
20
30
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255075
100
125
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
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100
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150
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75
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Tur
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ff
D
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a
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e
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n
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
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100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
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n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
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75
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125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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T
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(
n
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)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.5
1
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E
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E
n
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J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
255075
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125
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,T
u
rn
-o
ff
E
n
er
g
yL
o
s
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
0.5
1
1.5
2
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3
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
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VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
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e
n
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A
)
Minimum Switching Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50H60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50TA120P | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50TA120P | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DA120T1G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APTGF50SK120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF50SK120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50SK120TG | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TA120P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg NPT IGBT Power Module |
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