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参数资料
| 型号： | APTGF50H60T3G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-25 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | APTGF50H60T3G |
APTGF50H60T3G
A
P
T
G
F
50
H
60T
3G
–
R
ev
1
N
ove
m
be
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2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE = 15V
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
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,
Turn-
O
n
D
el
ay
Ti
m
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(n
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
R
G = 2.7
VGE=15V,
T
J=25°C
V
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T
J=125°C
50
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100
125
150
175
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0
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50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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ff
),
Turn-
O
ff
D
el
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Ti
m
e
(
n
s
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE = 400V
R
G = 2.7
V
GE=15V,
T
J=125°C
0
10
20
30
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50
60
0
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50
75
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125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e(n
s
)
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE = 400V
R
G = 2.7
TJ = 25°C
T
J = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fa
ll
Ti
m
e
(n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
T
J=125°C,
V
GE=15V
0
0.5
1
1.5
2
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255075
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150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Turn-
O
n
E
n
er
gy
Los
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m
J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE = 400V
RG = 2.7
T
J = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Turn-
of
fE
n
er
gy
Los
s(
m
J
)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
V
GE = 15V
R
G = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
ch
in
g
E
n
er
g
y
L
o
sses
(m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
20
40
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80
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0
200
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600
I C
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o
lle
c
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rC
u
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nt
(A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
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PDF描述 |
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