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参数资料
| 型号： | APTGF50TA120P |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-21 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | APTGF50TA120P |
APTGF50TA120P
A
P
T
G
F
50
T
A
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 70°C
60
A
IF = 60A
2
2.5
IF = 120A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
400
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
470
ns
Tj = 25°C
1200
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
4000
nC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.4
RthJC
Junction to Case
Diode
0.9
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline
5 places (3:1)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF75DA120T1G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75H120TG | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90A60T1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50TA120PG | 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module |
| APTGF50TDU120PG | 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TL60T3G | 功能描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50VDA120T3G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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