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参数资料
| 型号： | APTGF50TDU120P |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-21 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | APTGF50TDU120P |
APTGF50TDU120P
A
P
T
G
F
50
T
D
U
120
P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(on)
,Turn-
O
n
D
e
la
yTi
m
e(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
t
d
(o
ff
),
Turn-
O
ff
D
el
ay
Ti
m
e
(
n
s)
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e(n
s
)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,
F
all
T
im
e
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
o
n,
Tur
n-
O
n
E
n
e
rgy
Los
s(
m
J)
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Tu
rn-
o
ff
E
n
er
gy
Los
s
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
10
203040
50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
c
h
in
g
E
n
er
g
yL
o
sse
s(m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
ing
E
n
e
rgy
Los
s
es
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
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