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参数资料
| 型号： | APTGF50X60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | APTGF50X60T3G |
APTGF50X60T3G
A
P
TG
F50X60T3G
–
R
ev
0
Ju
ly,
2007
www.microsemi.com
5- 6
VGE = 15V
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=25°C
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TJ=125°C
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
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VGE=15V,
TJ=125°C
0
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20
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40
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
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(
n
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Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
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30
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tf
,Fall
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Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
TJ=125°C,
VGE=15V
0
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1
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E
on
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On
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Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 125°C
0
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
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Turn-
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Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
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0.5
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15
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Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Swi
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VCE = 400V
VGE = 15V
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u
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A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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