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参数资料
| 型号： | APTGF530U120D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | APTGF530U120D4G |
APTGF530U120D4G
APT
G
F530U120D4G
–
Rev0
July,
2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
200
400
600
800
1000
1200
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
200
400
600
800 1000 1200
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 1.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
02
46
8
10
12
14
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 600A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=1.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lImp
e
da
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
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