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参数资料
| 型号： | APTGF90DA60T3AG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | APTGF90DA60T3AG |
APTGF90DA60T3AG
APT
G
F90DA60T3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
5 – 5
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125
150
IC (A)
Fm
ax
,O
p
era
ti
n
g
F
req
uen
c
y
(kH
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=2.2
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
00.511.522.5
3
VF (V)
I F
(A
)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lIm
p
e
da
n
c
e
(°
C
/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90DA60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DA60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DDA60T3G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60TG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90SK60TG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF90DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DDA60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DH60T3G | 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DSK60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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