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参数资料
| 型号： | APTGF90DH60T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-14 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | APTGF90DH60T |
APTGF90DH60T
A
PT
G
F90D
H
60T
–
R
ev
1
M
ar
ch
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
01
234
Ic,
C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
123
4
Ic
,Co
lle
c
to
rCu
rr
e
n
t
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
123456
789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,Co
ll
ec
to
rCu
rr
e
n
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
255075
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rB
re
ak
d
o
w
n
V
o
lt
a
g
e(
N
o
rma
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
o
rC
u
rre
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(
V
)
IC = 90A
TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60T3G | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90SK60T1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90VDA60T3G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF90DH60T3G | 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DSK60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DU60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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