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参数资料
| 型号： | APTGF90H60TG |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-14 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | APTGF90H60TG |
APTGF90H60TG
A
P
T
G
F
90
H
60T
G
–
R
ev
2
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
15
20
25
30
35
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(on)
,Turn-
O
n
D
e
la
yTi
m
e
(n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
t
d
(o
ff
),
T
u
rn
-O
ff
D
e
la
y
T
im
e
(
n
s
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,Ri
s
eT
im
e
(
n
s
)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
025
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,T
u
rn-
O
n
E
n
er
g
yLos
s(
m
J
)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
T
u
rn
-o
ff
E
n
er
g
yL
o
ss
(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
4
8
12
16
0
10
20304050
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
c
h
ing
E
n
e
rgy
Los
se
s
(
m
J
)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
2
4
6
8
10
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
c
h
in
g
E
n
e
rg
y
L
o
ss
es
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
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PDF描述 |
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