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参数资料
型号： APTGL120TDU120TPG
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ROHS COMPLIANT PACKAGE-23
文件页数： 2/5页
文件大小： 231K
代理商： APTGL120TDU120TPG
APTGL120TDU120TPG
APT
G
L
120T
DU120T
PG
–
Rev
1
M
ar
ch,
2010
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.8
2.15
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 100A
Tj = 150°C
2.15
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3.4mA
5.2
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
6.2
Coes
Output Capacitance
0.4
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.35
nF
QG
Gate charge
VGE= ±15V ; VCE=600V
IC=100A
0.85
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
20
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
45
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
35
Td(off)
Turn-off Delay Time
350
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
80
ns
TJ = 25°C
5
Eon
Turn-on Switching Energy
TJ = 150°C
10.5
mJ
TJ = 25°C
5.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 7.5Ω
TJ = 150°C
9.5
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤10s ; Tj = 150°C
400
A
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 25°C
250
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
120
A
Tj = 25°C
1.9
2.4
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.85
V
Tj = 25°C
155
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
300
ns
Tj = 25°C
9.3
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
20
C
Tj = 25°C
3.4
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 600V
di/dt =2400A/s
Tj = 150°C
8
mJ
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