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参数资料
| 型号： | APTGT100DA60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | APTGT100DA60T1G |
APTGT100DA60T1G
APTGT100DA
60
T
1G
–
R
ev
0
Augus
t,
20
07
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 100A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
6100
Coes
Output Capacitance
390
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
190
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
225
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 3.3
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 3.3
70
ns
Tj = 25°C
0.4
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
0.875
mJ
Tj = 25°C
2.5
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 3.3
Tj = 150°C
3.5
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
4.7
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
9.9
C
Tj = 25°C
1.1
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 300V
di/dt =2000A/s
Tj = 150°C
2.4
mJ
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