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参数资料
| 型号： | APTGT100H60T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 全-桥戴场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | APTGT100H60T |
APTGT100H60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 100A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1.5 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
1.5
1.7
5.8
Max
250
1.9
6.5
400
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 100A
R
G
= 10
Inductive Switching (150°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 100A
R
G
= 10
Min
Typ
6100
390
190
115
45
225
55
130
50
300
70
1.8
3.5
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
600
Typ
100
1.6
1.5
125
220
4.7
9.9
Max
250
500
2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=600V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 100A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 100A
V
R
= 300V
di/dt =2000A/μs
μC
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