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参数资料
| 型号： | APTGT100SK120D1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | APTGT100SK120D1G |
APTGT100SK120D1G
APTG
T100SK120
D1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
4- 4
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
01
23
4
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
50
100
150
200
01
23
4
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 7.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
25
30
35
0
8
16
24
32
40
48
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
40
80
120
160
200
240
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=7.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
a
lI
m
ped
a
n
ce
(
°C/
W)
IGBT
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| APTGT100SK170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT100SK170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 200A 695W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT100SK170DG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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