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参数资料
| 型号： | APTGT150DA170 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-5 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | APTGT150DA170 |
2
Agere Systems Inc.
5 W, 100 MHz—1.0 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
February 2004
AGRA5XU
Preliminary Product Brief
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified. Cut lead denotes drain.
AGRA5XU
BOTTOM VIEW
0.140
0.200
0.180
0.020
SIDE VIEW
0.09 ± 0.01
0.008 ± 0.001
TOP VIEW
0.290
0.160
0.050
45°
R 0.020—0.040
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150DA170 | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA60T1G | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DH170 | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DH170 | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DH60T | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT150DA170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150DA170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT150DA170D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150DA170DX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT150DA170DY | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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