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参数资料
| 型号： | APTGT150DA60T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | APTGT150DA60T |
APTGT150DA60T
A
P
T
G
T
150
D
A
60
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 150A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9200
Coes
Output Capacitance
580
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
270
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
225
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 150A
RG = 6.8
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
70
ns
Eon
Turn on Energy
2.6
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 150A
RG = 6.8
5.3
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
150
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
130
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
225
ns
Tj = 25°C
6.9
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
VR = 300V
di/dt =2100A/s
Tj = 150°C
14.5
C
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