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参数资料
型号： APTGT150DU120T
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-12
文件页数： 1/5页
文件大小： 0K
代理商： APTGT150DU120T
APTGT150DU120T
A
P
T
G
T
150
D
U
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC= 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
350
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
690
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
300A @ 1150V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
C2
Q2
NTC1
Q1
E
C1
E1
G1
NTC2
E2
G2
C1
C2
NTC2
NTC1
E1
E
G2
E2
G2
E2
G1
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
AC Switches
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Features
Fast Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Dual common source
Fast Trench + Field Stop IGBT
Power Module
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PDF描述
APTGT150DU120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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