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参数资料
| 型号： | APTGT150SK60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | APTGT150SK60T1G |
APTGT150SK60T1G
APTGT150SK
60T1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
00.5
11.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 3.3
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I F
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=3.3
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
ma
lImpe
da
nc
e(°
C/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150TA60P | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150TA60P | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150TL60G | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150X120E3G | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150X120TE3 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT150SK60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT150SK60TG | 功能描述:IGBT 600V 225A 480W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT150TA60P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT150TA60PG | 功能描述:IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT150TA60PMG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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