参数资料
型号: APTGT150X120E3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, E3, 33 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 284K
代理商: APTGT150X120E3G
APTGT150X120E3G
A
P
T
G
T
150
X
120E
3G
R
ev
1
J
anua
ry,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
Diode
0.34
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
3
4.5
N.m
Wt
Package Weight
300
g
E3 Package outline (dimensions in mm)
PIN 1
PIN 21
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
相关PDF资料
PDF描述
APTGT150X120TE3 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A170D3 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
APTGT200A120 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A120D3 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT200A120G 功能描述:POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT200A170D3 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module