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参数资料
| 型号： | APTGT200A60T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT200A60T |
APTGT200A60T
A
P
T
G
T
200
A
60T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.24
RthJC
Junction to Case
Diode
0.4
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
1.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Package outline (dimensions in mm)
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT200DA120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DA120D3 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DA170D3G | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DA60T3AG | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DH120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT200A60T3AG | 功能描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT200A60TG | 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT200DA120D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT200DA120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT200DA120DG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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