参数资料
型号: APTGT200DA170D3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-7
文件页数: 4/5页
文件大小: 213K
代理商: APTGT200DA170D3G
APTGT200DA170D3G
APT
G
T
200DA170
D3G
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
00.5
11.5
22.5
33.5
4
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
1
23
45
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
5
6
7
8
9
10
11
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
50
100
150
200
0
50 100 150 200 250 300 350 400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 6.8
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
0
10
20
304050
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=6.8
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
a
lI
m
ped
a
n
c
e
C
/W)
IGBT
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