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参数资料
| 型号： | APTGT200DA60T3AG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | APTGT200DA60T3AG |
APTGT200DA60T3AG
APT
G
T
200DA60
T
3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
00.5
11.522.5
33.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50 100 150 200 250 300 350 400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
12
14
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I F
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lIm
pe
da
nc
e
(
°C/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT200DH120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGT200DU120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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