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参数资料
| 型号： | APTGT225DU170 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | APTGT225DU170 |
APTGT225DU170
A
P
T
G
T
225
D
U
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
500
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 225A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 4mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
20
Coes
Output Capacitance
0.8
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.66
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
370
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 225A
RG = 3.3
180
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
400
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
800
Tf
Fall Time
300
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
72
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 225A
RG = 3.3
70.5
mJ
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
500
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
750
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
225
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 225A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
385
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
490
ns
Tj = 25°C
60
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 225A
VR = 900V
di/dt =2400A/s
Tj = 125°C
96
C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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