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参数资料
| 型号： | APTGT300DA170 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-5 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | APTGT300DA170 |
APTGT300DA170
A
P
T
G
T
300
D
A
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
100
200
300
400
500
600
0
12345
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
40
80
120
160
200
240
0
100
200
300
400
500
600
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
40
80
120
160
200
240
036
9
12
15
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 300A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
600
700
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
al
I
m
p
e
d
an
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT300DH60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300DH60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300SK170D3G | 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300U170D4G | 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT400A120 | 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT300DA170D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
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| APTGT300DA170G | 功能描述:IGBT 1700V 400A 1660W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA60D3G | 功能描述:IGBT 600V 400A 940W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA60D3G_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module |
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