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参数资料
| 型号： | APTGT300SK120D3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | APTGT300SK120D3G |
1998
Document No. D16166EJV0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
COMPOUND TRANSISTOR
AN1A4Z
on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor
For mid-speed switching
DATA SHEET
2002
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FEATURES
On-chip bias resistor
(R1 = 10 k
)
Complementary transistor with AA1A4Z
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
60
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter to base voltage
VEBO
5
V
Collector current (DC)
IC(DC)
100
mA
Collector current (Pulse)
IC(pulse) *
200
mA
Total power dissipation
PT
250
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
*PW
≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
50 V, IE = 0
100
nA
DC current gain
hFE1 **
VCE =
5.0 V, IC = 5.0 mA
135
190
600
DC current gain
hFE2 **
VCE =
5.0 V, IC = 50 mA
100
170
Collector saturation voltage
VCE(sat) **
IC =
5.0 mA, IB = 0.25 mA
0.07
0.2
V
Low level input voltage
VIL **
VCE =
5.0 V, IC = 100
A
0.57
0.5
V
High level input voltage
VIH **
VCE =
0.2 V, IC = 5.0 mA
2.0
0.9
V
Input resistance
R1
7.0
10
13.0
k
Turn-on time
ton
0.2
s
Storage time
tstg
5.0
s
Turn-off time
toff
VCC =
5.0 V, RL = 1.0 k
VI =
5.0 V, PW = 2.0
s
duty cycle
≤2 %
6.0
s
** Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2 %
hFE CLASSIFICATION
Marking
Q
P
K
hFE1
135 to 270
200 to 400
300 to 600
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT300SK120D3 | 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300SK120D3 | 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300SK170D3 | 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300SK170D3 | 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT300SK170 | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT300SK120G | 功能描述:IGBT 1200V 420A 1380W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300SK170 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT300SK170D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT300SK170D3G | 功能描述:IGBT 1700V 530A 1470W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300SK170G | 功能描述:IGBT 1700V 400A 1660W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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