参数资料
型号: APTGT30DDA60T3
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-25
文件页数: 5/5页
文件大小: 283K
代理商: APTGT30DDA60T3
APTGT225A170
A
P
T
G
T
225
A
170
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
00.5
1
1.522.5
3
V
F (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
0
60
120
180
240
300
360
I
C (A)
Fm
ax,
O
per
at
in
g
Fr
eq
u
en
cy
(
kH
z)
VCE=900V
D=50%
RG=3.3
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e(°
C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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