- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36737 > APTGT50A120T (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGT50A120T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | APTGT50A120T |
APTGT50A120T
A
P
T
G
T
50
A
120T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
00.511.522.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
204060
80
100
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
1020304050
6070
80
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT50A170T1G | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50A60T1G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DA120D1 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DA120D1 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DA120D1G | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT50A120T1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT50A120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT50A170B1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT50A170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT50A170D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。