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参数资料
| 型号： | APTGT50A170T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT50A170T |
APTGT50A170T
A
P
T
G
T
50
A
170T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
250
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4400
Coes
Output Capacitance
180
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
150
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
370
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 10
180
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
400
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
800
Tf
Fall Time
300
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
16
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 10
15
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
50
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
385
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
490
ns
Tj = 25°C
14
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =800A/s
Tj = 125°C
23
C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT50A170T1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT50A170TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT50A60T1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT50DA120D1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT50DA120D1G | 功能描述:IGBT 1200V 75A 270W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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