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参数资料
| 型号： | APTGT50DU170T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 双共源戴场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | APTGT50DU170T |
APTGT50DU170T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
CE
(V)
I
C
(
Output Characteristics
V
GE
=15V
V
GE
=13V
V
GE
=20V
V
GE
=9V
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
CE
(V)
I
C
T
J
= 125°C
Transfert Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
(V)
I
C
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
Er
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
I
C
(A)
E
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
T
J
= 125°C
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
10
20
Gate Resistance (ohms)
30
40
50
60
70
80
E
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
400
800
1200
1600
2000
V
CE
(V)
I
C
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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