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参数资料
| 型号： | APTGT50SK170T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT50SK170T |
AP2322GN
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
T A =25
o C
V G = 2.0 V
5.0V
4.0V
3.0V
2.5V
0
2
4
6
8
10
01
23
4
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T A = 150
o C
5.0V
4. 0 V
3.0 V
2.5V
V G = 2.0 V
40
60
80
100
120
02
46
8
10
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =0.3A
T A =25
o C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D = 1.6 A
V G =4.5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT50SK170T | 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
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参数描述 |
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