型号: | APTGT600U120D4 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | MODULE-4 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 188K |
代理商: | APTGT600U120D4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APTGT600U120D4 | 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT600U170D4G | 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT750U60D4G | IGBT |
APTGT75A120D1 | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT75A120D1G | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTGT600U120D4G | 功能描述:IGBT 1200V 900A 2500W D4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT600U170D4G | 功能描述:IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT750U60D4G | 功能描述:IGBT 600V 1000A 2300W D4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT75A1202G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
APTGT75A120D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |