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参数资料
| 型号： | APTGT75DH120T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-14 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT75DH120T |
APTGT75DH120T
A
P
T
G
T
75
D
H
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.35
RthJC
Junction to Case
Diode
0.48
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
1.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Package outline (dimensions in mm)
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DH60T3G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DSK60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DSK60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DU120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DU120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT75DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
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| APTGT75DH60T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DH60T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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