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参数资料
| 型号： | APTGT75H60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | APTGT75H60T1G |
APTGT75H60T1G
APTGT75H
60
T
1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
255075
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
al
Im
pe
da
nce
(
°C/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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