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参数资料
| 型号： | APTGT75TA120P |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-21 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | APTGT75TA120P |
APTGT75TA120P
A
P
T
G
T
75
T
A
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
285
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
8.1
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
3
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s
Tj = 125°C
6
mJ
Tj = 25°C
7.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s
Tj = 125°C
13.7
C
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PDF描述 |
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