型号: | APTGT75X120RTP3 |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | MODULE-35 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 269K |
代理商: | APTGT75X120RTP3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APTGT75X120RTP3 | 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT75X120E3G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT75X120E3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT75X120E3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APTGT75X120TE3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTGT75X120RTPG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGT75X120TE3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
APTGT75X120TE3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGT75X60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGTQ100A65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 |