参数资料
型号: APTGU100DH60
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 145 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-8
文件页数: 1/3页
文件大小: 190K
代理商: APTGU100DH60
APTGU100DH60
A
PT
G
U
10
0D
H
60
R
ev
0
M
ay
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
145
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
300
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
568
W
SSOA
Switching Safe Operating Area
Tj = 150°C
300A @ 600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
G4
E4
VBUS
G1
E1
0/VBUS
OUT2
OUT1
VCES = 600V
IC = 100A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Power MOS 7 Punch Through (PT) IGBT
-
Low conduction loss
-
Ultra fast tail current shutoff
-
Low gate charge
-
Switching frequency capability in the 200kHz
range
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Low profile
Asymmetrical - bridge
PT IGBT Power Module
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