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参数资料
| 型号： | APTGU120A120T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 180 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | APTGU120A120T |
APTGU120A120T
A
PT
G
U
12
0A
12
0T
–
R
ev
1
Ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 500A
1200
V
Tj = 25°C
500
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
5000
A
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 120A
Tj = 125°C
3.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 4 mA
3
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±200
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
12.9
Coes
Output Capacitance
1.04
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.2
nF
Qg
Total gate Charge
620
Qge
Gate – Emitter Charge
80
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 120A
280
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
94
Tf
Fall Time
53
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
4
Eon2
Turn-on Switching Energy
6.96
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 120A
RG = 1.25
3.63
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
147
Tf
Fall Time
100
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
4
Eon2
Turn-on Switching Energy
11.4
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 120A
RG = 1.25
9.3
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 50°C
120
A
IF = 120A
3.9
IF = 240A
4.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 120A
Tj = 150°C
2.6
V
Tj = 25°C
114
trr
Reverse Recovery Time
IF = 120A
VR = 800V
di/dt =800A/s Tj = 100°C
140
ns
Tj = 25°C
2416
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 120A
VR = 800V
di/dt =800A/s Tj = 100°C
5528
nC
Eon2 includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APTGU180SK120 | 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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