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参数资料
型号： APTGU180SK120
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-5
文件页数： 2/3页
文件大小： 186K
代理商： APTGU180SK120
APTGU180SK120
A
PT
G
U
18
0S
K
12
0
–
R
ev
1
Ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 750A
1200
V
Tj = 25°C
750
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
7500
A
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 180A
Tj = 125°C
3.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 6 mA
3
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±250
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
19.3
Coes
Output Capacitance
1.56
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.3
nF
Qg
Total gate Charge
930
Qge
Gate – Emitter Charge
120
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 180A
420
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
94
Tf
Fall Time
53
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
6
Eon2
Turn-on Switching Energy
10.4
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 180A
RG = 0.8
5.44
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
16
Tr
Rise Time
26
Td(off)
Turn-off Delay Time
147
Tf
Fall Time
100
ns
Eon1
Turn-on Switching Energy
6
Eon2
Turn-on Switching Energy
17.1
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 800V
IC = 180A
RG = 0.8
13.9
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 25°C
200
A
IF = 200A
2.5
IF = 400A
2.5
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
Tj = 150°C
2.0
V
Tj = 25°C
110
trr
Reverse Recovery Time
IF = 200A
VR = 650V
di/dt =800A/s Tj = 100°C
175
ns
Tj = 25°C
4
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 200A
VR = 650V
di/dt =800A/s Tj = 100°C
12
C
Eon2 includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
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