参数资料
型号: AR4PK-M3/86A
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 83K
描述: DIODE FAST SW 4A 800V SMPC
标准包装: 1
系列: eSMP™
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 800V
电流 - 平均整流 (Io): 1.8A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.9V @ 4A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 120ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 800V
电容@ Vr, F: 55pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-277,3-PowerDFN
供应商设备封装: TO-277A
包装: 标准包装
其它名称: AR4PK-M3/86AGIDKR
‘lllvVISHAYQV www.vishay.com
AR4PK, AR4PM
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cunvEs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
EEa:S 220
'9
E 228 <_0 }0 K1
TM Measured
aI Ine catnooe Band Terminal
B 25 50 75 mo 125 150 175
TM - Mount Temperature (“Cl
Fig. 1 — Maximum DC Forward Current Derating Cun/e
7
6
m 5WoJ 4EEoo. 30)atE0) 2><
1
uD 0.4 08 1.2 1.6 2.0 2.4 28 3.2 as 4.0 4.4 4.8
Average Forward Current (A)
Fig. 2 - Average Power Loss Characteristics
T00
10 ________
instantaneous Forward Current (A)
I 0.2 0.6 ‘.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4
Instantaneous Fonlvard Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous Fonivard Characteristics
Revision: 21 -Aug-1 3
10 000
aDo
100
0.1
instantaneous Reverse Current (|_lA)
3
-- I------- I..-
Dm 2222222“10 20 3D 40 50 60 70 50 en 10u
Percent o' Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
100
10
Junction Capacitance (pF)
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
10
Transient Thermal impedance (“C/W)
0.01
||||100
. IIII||IIllII||||||III||||||III|||
0 1 1 1 D
t— Pulse Duration (s)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Document Number: 89335
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ADR525BKSZ-REEL7 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SC-70-3
RMA44DRSN-S288 CONN EDGECARD 88POS .125 EXTEND
RSA44DRSH-S288 CONN EDGECARD 88POS .125 EXTEND
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