参数资料
| 型号： | ARD00280 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 30/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | KIT REF DESIGN PIC18F87J72 1PH |
| 设计资源： | PIC18F87J72 BOM PIC18F87J72 Schematics PIC18F87J72 Gerber Files |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，电度表/功率表 |
| 嵌入式： | 是，MCU，8 位 |
| 已用 IC / 零件： | PIC18F87J72 |
| 主要属性： | 单相分流电度表 |
| 已供物品： | 板 |
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PIC18F87J72 Single-Phase Energy Meter Reference Design
3.33
OFFSET_POWER_REACT
Name
OFFSET_POWER_REACT
Bits
32
Cof
R/W
Reactive power offset (this is a straight offset, not the square, as with voltage and cur-
rent). A much larger value is needed because the power is a running sum. This is a
32-bit signed value.
3.34
GAIN_POWER_REACT
Name
GAIN_POWER_REACT
Bits
16
Cof
R/W
Reactive power gain to produce X W/LSB. The value is always less than one (for exam-
ple, 32,767 = 0.9999695).
3.35
GAIN_ENERGY_ACT
Name
GAIN_ENERGY_ACT
Bits
16
Cof
R/W
Active energy gain to produce X Wh/LSB. The value is always less than one (for exam-
ple, 32,767 = 0.9999695).
3.36
GAIN_ENERGY_APP
Name
GAIN_ENERGY_APP
Bits
16
Cof
R/W
Apparent energy gain to produce X VAh/LSB. The value is always less than one (for
example, 32,767 = 0.9999695).
3.37
GAIN_ENERGY_REACT
Name
GAIN_ENERGY_REACT
Bits
16
Cof
R/W
Reactive energy gain to produce X VARh/LSB. The value is always less than one (for
example, 32,767 = 0.9999695).
DS51931A-page 30
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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