| 型号： | AS1PK-M3/84A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 79K |
| 描述： | DIODE STD 1.5A 800V ESMP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | eSMP™ |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1.5A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 1.5A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 800V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-220AA |
| 供应商设备封装： | DO-220AA（SMP） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AS1PK-M3/84ADKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM24DRYN-S13 | CONN EDGECARD 48POS .156 EXTEND |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AS1PM | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Avalanche Surface Mount Rectifiers |
| AS1PMHM3/84A | 功能描述:整流器 1.5A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| AS1PMHM3/85A | 功能描述:DIODE STD 1.5A 1000V ESMP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:eSMP™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| AS1PM-M3/84A | 功能描述:整流器 1.5A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| AS1PM-M3/85A | 功能描述:DIODE STD 1.5A 1000V ESMP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:eSMP™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |