参数资料
型号: AS4PJHM3/86A
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 83K
描述: DIODE STD 4A 600V SMPC
标准包装: 1,500
系列: eSMP™
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 2.4A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 962mV @ 2A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-277,3-PowerDFN
供应商设备封装: TO-277A
包装: 带卷 (TR)
VFSHAY. _ 7 WWw'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cunvEs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
4'5 ---- ‘G00
4'0 ---- 2 EA 3.5 E m0
$ ---- I g
E 3.0 S: w 10
3 25 2
O ' — 2] I g2 2.0 §
5 I §— II 2 1Eg 1'0 ‘E 0.1 1
E 1'5 2 IE I g
TM Measured $ 2
0'5 at the cathode Band Terminal - E Z
0 Um ----0 25 50 75 100 125 150 175 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Mount Temperature (“C) Percent of Rated Peak Reverse Voltage (‘7/n)
Fig. 1 - Max. Forward Current Derating Curve Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
1 00010010
Average Power Loss (W)
Junction Capacitance (pF)
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
Average Forward Current (A) Reverse Voltage (V)
Fig. 2 - FonNard Power Loss Characteristics Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
100S5llS|| “0
_______ui%======
----numm----
_’.. -?E_W ImmuIIIIII
instantaneous Forward Current (A)
Transient Thermal impedance (“C/W)
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5
instantaneous Forward voltage (V) t- Pulse Duration (s)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Revision: 14?Aug-13 3 Document Number: 88770
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AS4PJ-M3/87A 功能描述:DIODE STD 4A 600V SMPC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:eSMP™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
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