型号: | AS7C31025B-10JCN |
厂商: | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
中文描述: | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
封装: | 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-32 |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 99K |
代理商: | AS7C31025B-10JCN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
AS7C31025B-10JI | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-10JIN | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-12TJIN | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-15TJIN | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-20TJIN | 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
AS7C31025B-10JCNTR | 功能描述:静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 10ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
AS7C31025B-10JI | 制造商:ALSC 制造商全称:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-10JIN | 制造商:ALSC 制造商全称:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-10TJC | 制造商:ALSC 制造商全称:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
AS7C31025B-10TJCN | 功能描述:静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 10ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |