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参数资料
| 型号： | AS7C3256A-20JIN |
| 厂商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | Dual 4-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | AS7C3256A-20JIN |
April 2004
Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
AS7C3256A
4/23/04; v.2.0
Alliance Semiconductor
P. 1 of 9
3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O)
Features
Pin compatible with AS7C3256
Industrial and commercial temperature options
Organization: 32,768 words × 8 bits
High speed
- 10/12/15/20 ns address access time
- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time
Very low power consumption: ACTIVE
- 180mW max @ 10 ns
Very low power consumption: STANDBY
- 7.2 mW max CMOS I/O
Easy memory expansion with
CE
and
OE
inputs
TTL-compatible, three-state I/O
28-pin JEDEC standard packages
- 300 mil SOJ
- 8
×
13.4 mm TSOP 1
ESD protection
≥
2000 volts
Latch-up current
≥
200 mA
Logic block diagram
A
9
A
8
256 X 128 X 8
Array
(262,144)
Input buffer
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I/O0
I/O7
V
CC
GND
OE
CE
WE
Column decoder
R
Control
circuit
S
Pin arrangement
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A7
A8
A9
A11
OE
A2
AS7C3256A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
A
28-pin TSOP 1 (8×13.4 mm)
28-pin SOJ (300 mil)
Selection guide
-10
-12
-15
-20
Unit
Maximum address access time
Maximum output enable access time
10
5
12
6
15
7
20
8
ns
ns
Maximum operating current
50
45
40
35
mA
Maximum CMOS standby current
2
2
2
2
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS7C3256A-20TC | Dual 4-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| AS7C3256A-20TCN | Dual 4-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| AS7C3256A-20TI | Dual 4-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| AS7C3256A-20TIN | Dual 4-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| AS7C3256A-8JCN | 3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AS7C3256A-20JINTR | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 3.3V 20ns FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| AS7C3256A-20TC | 制造商:ALSC 制造商全称:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O) |
| AS7C3256A-20TCN | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 3.3V 20ns FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| AS7C3256A-20TCNTR | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 3.3V 20ns FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| AS7C3256A-20TI | 制造商:ALSC 制造商全称:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O) |
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