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参数资料
型号： AT-30533-BLK
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件页数： 6/10页
文件大小： 100K
代理商： AT-30533-BLK
5
AT-30533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
ΓΓΓΓΓOPT
Freq
Fmin[1]
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
0.5[2]
0.3
0.94
7
1.02
0.9
0.4
0.89
16
0.86
1.8
0.9
0.75
43
0.58
2.4
1.3
0.65
65
0.38
Notes:
1. Matching constraints may make F
min values associated with high |Γopt| values
unachievable in physical circuits. See Fig. 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-30511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
ΓΓΓΓΓOPT
Freq
Fmin[1]
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
0.5[2]
0.3
0.96
10
1.49
0.9
0.4
0.92
19
1.33
1.8
0.9
0.83
43
0.98
2.4
1.3
0.76
60
0.74
Notes:
1. Matching constraints may make Fmin values associated with high |Γopt| values
unachievable in physical circuits. See Fig. 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-30533 Typical Scattering Parameters, V
CE = 1 V, IC = 1 mA, Common Emitter, ZO = 50
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.95
-5
10.90
3.51
174
-38.36
0.01
87
0.99
-3
0.5
0.91
-25
10.32
3.28
150
-25.08
0.06
73
0.95
-14
0.9
0.77
-41
9.44
2.97
128
-20.95
0.09
63
0.89
-24
1.0
0.73
-45
9.03
2.83
124
-20.21
0.10
61
0.88
-25
1.5
0.55
-62
7.75
2.44
102
-18.13
0.12
54
0.80
-33
1.8
0.46
-71
6.94
2.22
91
-17.33
0.14
51
0.77
-36
2.0
0.41
-76
6.51
2.12
85
-16.84
0.14
50
0.74
-38
2.4
0.30
-85
5.45
1.87
73
-16.05
0.16
49
0.71
-41
3.0
0.17
-95
4.26
1.63
57
-14.80
0.18
49
0.68
-46
4.0
0.02
-139
2.71
1.37
37
-12.58
0.24
48
0.65
-57
5.0
0.12
61
1.56
1.20
19
-10.14
0.31
45
0.62
-69
AT-30511 Typical Scattering Parameters, V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.97
-5
10.84
3.48
175
-39.42
0.01
86
0.99
-2
0.5
0.95
-24
10.51
3.35
155
-25.87
0.05
72
0.95
-14
0.9
0.85
-42
9.96
3.15
137
-21.46
0.08
61
0.92
-24
1.0
0.83
-46
9.66
3.04
133
-20.71
0.09
58
0.91
-26
1.5
0.70
-67
8.71
2.73
113
-18.44
0.12
46
0.84
-36
1.8
0.63
-78
8.06
2.53
102
-17.69
0.13
41
0.80
-40
2.0
0.59
-85
7.75
2.44
96
-17.27
0.14
37
0.77
-43
2.4
0.50
-100
6.73
2.17
84
-16.79
0.14
32
0.73
-48
3.0
0.39
-122
5.58
1.90
67
-16.32
0.15
27
0.68
-53
4.0
0.29
-161
3.97
1.58
45
-15.87
0.16
20
0.63
-63
5.0
0.27
153
2.64
1.36
25
-15.47
0.17
20
0.61
-72
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 17. AT-30511 Gains vs.
Frequency at VCE = 1 V, IC = 1 mA.
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 18. AT-30533 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 1 mA.
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PDF描述
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AT-30533TR1 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-30533-TR1 制造商:Hewlett Packard Co 功能描述:
AT-30533-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-30533-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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