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参数资料
型号： AT-31011-BLK
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 4 PIN
文件页数： 7/10页
文件大小： 102K
代理商： AT-31011-BLK
6
AT-31011 Typical Scattering Parameters, V
CE = 2.7 V, IC = 1 mA, Common Emitter, ZO = 50
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.96
-7
11.11
3.59
174
-39.92
0.01
86
0.999
-2
0.5
0.93
-32
10.66
3.41
152
-26.43
0.05
69
0.95
-13
0.9
0.83
-56
9.90
3.13
132
-22.32
0.08
55
0.91
-22
1.0
0.81
-61
9.53
2.99
128
-21.66
0.08
53
0.90
-24
1.5
0.68
-89
8.32
2.61
107
-19.90
0.10
40
0.84
-32
1.8
0.62
-104
7.52
2.38
96
-19.46
0.11
34
0.80
-36
2.0
0.58
-113
7.15
2.28
90
-19.24
0.11
31
0.78
-38
2.4
0.52
-133
5.98
1.99
77
-19.15
0.11
27
0.75
-42
3.0
0.45
-160
4.65
1.71
61
-19.37
0.11
25
0.72
-46
4.0
0.43
158
2.75
1.37
39
-19.60
0.10
29
0.69
-56
5.0
0.46
123
1.16
1.14
20
-18.16
0.12
41
0.68
-66
AT-31011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 , 2.7 V, IC = 1 mA
ΓΓΓΓΓOPT
Freq
Fmin[1]
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
0.5[2]
0.5
0.92
13
0.85
0.9
0.6
0.85
29
0.73
1.8
1.1
0.68
67
0.46
2.4
1.6
0.55
98
0.28
Notes:
1. Matching constraints may make F
min values associated with high |ΓOPT| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-31033 Typical Scattering Parameters, V
CE = 2.7 V, IC = 1 mA, Common Emitter, ZO = 50
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.94
-7
11.07
3.58
173
-37.44
0.01
86
0.999
-3
0.5
0.89
-32
10.35
3.29
146
-24.11
0.06
70
0.94
-15
0.9
0.72
-54
9.27
2.91
123
-20.27
0.10
58
0.87
-25
1.0
0.69
-59
8.80
2.76
118
-19.65
0.10
56
0.86
-26
1.5
0.48
-83
7.32
2.32
95
-18.01
0.13
48
0.78
-33
1.8
0.38
-97
6.39
2.09
84
-17.43
0.13
46
0.74
-36
2.0
0.33
-107
5.91
1.97
77
-17.07
0.14
45
0.72
-38
2.4
0.23
-130
4.73
1.72
65
-16.46
0.15
46
0.70
-41
3.0
0.14
-178
3.43
1.48
49
-15.25
0.17
48
0.67
-46
4.0
0.19
103
1.62
1.21
28
-12.62
0.23
51
0.65
-57
5.0
0.30
67
0.25
1.03
12
-9.72
0.33
47
0.63
-71
AT-31033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 , 2.7 V, IC = 1 mA
ΓΓΓΓΓOPT
Freq
Fmin[1]
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
0.5[2]
0.5
0.90
12
0.70
0.9
0.6
0.82
28
0.60
1.8
1.1
0.57
68
0.38
2.4
1.6
0.41
100
0.22
Notes:
1. Matching constraints may make Fmin values associated with high |ΓOPT| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
Figure 19. AT-31011 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 1 mA.
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 20. AT-31033 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 1 mA.
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PDF描述
AT-31033-TR2 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
AT-31011-BLKG 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT31011TR1 制造商:Hewlett Packard Co 功能描述:
AT-31011-TR1 制造商:HEWLETT 功能描述:
AT-31011-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-31011-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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