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参数资料
| 型号： | AT-31011-TR1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 457K |
| 代理商： | AT-31011-TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-31033-TR1 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-31011-BLK | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32011-BLKG | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32033-TR2G | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32033-BLKG | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-31011-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT-31011-TR2G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT310-22/23-4 | 制造商:Block USA Inc. 功能描述:3 phase autotransformer,220-400V 10kVA |
| AT31033 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-23 |
| AT-31033 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
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