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参数资料
| 型号： | AT-41532-BLK |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | AT-41532-BLK |
2
AT-41532 Absolute Maximum Ratings
Absolute
Symbol
Parameter
Units
Maximum[1]
VEBO
Emitter-Base Voltage
V
1.5
VCBO
Collector-Base Voltage
V
20
VCEO
Collector-Emitter Voltage
V
12
IC
Collector Current
mA
50
PT
Power Dissipation[2,3]
mW
225
Tj
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to 150
Electrical Specifications,
TA = 25°C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min
Typ
Max
hFE
Forward Current Transfer Ratio
VCE = 5 V
-
30
150
270
IC = 5 mA
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 3 V
mA
0.2
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 1 V
mA
1.0
Notes:
1. Operation of this device above any one
of these parameters may cause
permanent damage.
2. TMOUNTING SURFACE = 25°C.
3. Derate at 2.86 mW/
°C for
T
MOUNTING SURFACE > 72°C.
Thermal Resistance:[2]
θ
jc = 350
°C/W
Characterization Information,
TA = 25°C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min
Typ
NF
Noise Figure
f = 0.9 GHz
dB
1.0
f = 1.8 GHz
1.4
VCE = 5 V, IC = 5 mA
f = 2.4 GHz
1.9
GA
Associated Gain
f = 0.9 GHz
dB
15.5
f = 1.8 GHz
10.5
VCE = 5 V, IC = 5 mA
f = 2.4 GHz
9.0
P1dB
Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning)
f = 0.9 GHz
dBm
14.5
VCE = 5 V, IC = 25 mA
G1dB
Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning)
f = 0.9 GHz
dB
14.5
VCE = 5 V, IC = 25 mA
IP3
Output Third Order Intercept Point,
f = 0.9 GHz
dBm
25
VCE = 5 V, IC =25 mA (opt tuning)
|S21E|2
Gain in 50
system; V
CE = 5 V, IC = 5 mA
f = 0.9 GHz
dB
12.5
13.25
f = 2.4 GHz
5.2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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